Hybrid-Leistungsfilter
Hybrid active filter(SiC) is a new generation of active power filter (APF) designed with silicon carbide materials. Its dual-core design offers faster operation, lower losses, and higher device efficiency (>99 %). Neben der dynamischen Kompensation von Oberschwingungen können APF-Produkte auch Blindleistung kompensieren und so Probleme mit der Netzqualität wie Spannungsschwankungen und Flicker beheben. APF-Produkte nutzen modernste Steuerungstechnologie für eine vollautomatische Steuerung, was sie zur bevorzugten Wahl für die Eliminierung von Oberschwingungen macht.
Produktbeschreibung
Der SiC Active Harmonic Filter ist ein von uns selbst entwickeltes, vollständig digitales Gerät zur Oberwellenbeseitigung der nächsten-Generation. Im Vergleich zur herkömmlichen Technologie bietet es deutliche Vorteile wie schnellere Reaktionszeit, kompakte Größe, erweiterte Funktionalität, einfache Installation und Wartung sowie unkomplizierte Inbetriebnahme. Es kann Probleme mit der Stromqualität effektiv und problemlos lösen. APF kompensiert Oberschwingungen dynamisch und behebt so effektiv Probleme wie einen niedrigen Leistungsfaktor und dreiphasige Ungleichgewichte in der Stromqualität.
Das Hauptstromgerät verwendet die Halbleiterkomponente SiC Mosfet der nächsten{0}}Generation, die eine Schaltfrequenz von mehr als 100 kHz, eine hohe Leistungsdichte, geringe Verluste und einen hohen Wirkungsgrad mit einer harmonischen Filterrate von bis zu 97 % bietet. Es unterstützt mehrere Kompensationsmodi, einschließlich Oberschwingungen, Blindleistung und Dreiphasenungleichgewicht. Die PCBA ist vollständig versiegelt und gewährleistet so Schutz vor Staub, Kondensation und Salznebel. Das Gerät bietet flexible Installationsmöglichkeiten (Schrank- oder Wandmontage) und die Wartung ist unkompliziert.
Produktmerkmale
Datenblatt
| Elektrische Parameter | |
| Verkabelungsmethode | Drei-Phase drei-Draht, drei-Phase vier-Draht |
| Betriebsspannung | 380V/220V±20% |
| Betriebsfrequenz | 50/60 Hz, ±10 % |
| Produktspezifikationen | 30A, 50A, 75A, 100A,150A |
| Spezifikationen des Stromwandlers | 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1 |
| Lärm | <65dB |
| Technische Merkmale | |
| Schaltgeräte | SiC-Mosfet |
| Schaltfrequenz | >100 kHz |
| Methoden zur Wärmeableitung | Intelligente Luftkühlung |
| Kontrolle der Wärmeableitung | Adaptive Anpassung der Lüftergeschwindigkeit |
| Schutzfunktionen | Ausgangsüberstromschutz, Ausgangsstrombegrenzungsschutz, Übertemperaturschutz, DC-Bus-Überspannungsschutz, AC-Eingangsunterspannungsschutz, AC-Eingangsüberspannungsschutz, Steuerungssystemfehlerschutz, Hauptstromkreiskomponentenschaden und Trennungsschutz |
| Vergütungsleistung | |
| Harmonische Filterrate | ＞97% |
| Gesamteffizienz | Größer oder gleich 99 % |
| Wirkleistungsverlust | ＜1% |
| Harmonischer Filterbereich | Harmonische von der 2. bis zur 50. können individuell gesteuert und konfiguriert werden. |
| Gesamtantwortzeit | <5ms |
| Resonanzunterdrückung | Aktive Hemmung |
| Anzeigeschnittstelle | |
| Bildschirm anzeigen | 7-Fuß großer Vollfarb-Touchscreen |
| Sprache | Chinesisch, Englisch und anpassbare Sprachen. |
| Batterieanzeige | Zeigt Daten wie Verzerrungsrate, Leistungsfaktor, Leistung, Spannung und Strom an. |
| Kommunikationsschnittstelle und Protokolltyp | RS485-, TCP/IP-, Modbus-Protokolle und 4G-Datenübertragung über große Entfernungen. |
| Umgebungsbedingungen | |
| Betriebstemperatur | -25 Grad ~+50 Grad |
| Relative Luftfeuchtigkeit | <95%, no condensation |
| Höhe | <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters) |
| Andere | |
| Schutzniveau | Schutzart IP20, andere Schutzarten auf Anfrage erhältlich. |
| Installationsmethode | Rack-{0}Montage, Wandmontage-, integrierte Schrankkonfigurationen. |
Q&A
Was sind die Kernvorteile von Siliziumkarbid (SiC)?
Siliziumkarbid ist ein Halbleiter mit großer Bandlücke und überlegenen Materialeigenschaften im Vergleich zu Silizium. Für AHF bedeutet dies drei wichtige Vorteile, die sich direkt auf das Wärmemanagement auswirken:
1. Höhere Schaltfrequenz:SiC-MOSFETs schalten viel schneller als IGBTs. Dies ermöglicht eine genauere Rekonstruktion des anti-harmonischen Stroms und verbessert die Leistung, insbesondere bei höheren Harmonischen.
2. Geringere Schaltverluste:Dies hat den größten Einfluss auf die Wärmeableitung. Die schnellen Schalteigenschaften von SiC-Geräten führen dazu, dass pro Schaltübergang weniger Wärme erzeugt wird.
3. Höhere Betriebstemperatur:SiC-Halbleiter können theoretisch bei Sperrschichttemperaturen von bis zu 200 Grad oder mehr betrieben werden, während die typische Betriebstemperaturgrenze für Silizium-IGBTs bei 150 Grad liegt. Dies bietet einen größeren Sicherheitsspielraum.
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